उच्च स्थिरता लेसरचे उच्च वारंवारता मॉड्यूलेशन
वेगवान वारंवारता मॉड्यूलेशन, >1MHz
उच्च वारंवारता मॉड्युलेशन, कर्तव्य प्रमाण समायोजित करण्यायोग्य
TTL मॉड्यूलेशन, अॅनालॉग मॉड्युलेशन पर्यायी
उच्च विलुप्त होण्याचे प्रमाण, कोडिंगसाठी सोपे
कॉम्पॅक्ट डिझाइन, वापरण्यास सोयीस्कर
मध्य तरंगलांबी(nm) | ४४५±५ |
ऑपरेटिंग मोड | CW |
आउटपुट पॉवर (mW) | >१,२,३,…,८० |
पॉवर स्थिरता (rms, 4 तासांपेक्षा जास्त) | <3%,<2%,<1% |
ट्रान्सव्हर्स मोड | TEM00 जवळ |
मोठेपणाचा आवाज(rms,20Hz~20MHz) | <1%(<0.5%, ऐच्छिक) |
M2 घटक | <1.2 |
छिद्रावरील बीम व्यास (1/e2, मिमी) | ~१.२ |
बीम विचलन, फुललांगल (mrad) | <1.0 |
ध्रुवीकरण प्रमाण | >50:1(>100:1,पर्यायी) |
क्षैतिज ± 5 अंश (अनुलंब पर्यायी) | |
वॉर्म-अपटाइम (मिनिटे) | <5 |
बेस प्लेटपासून बीमची उंची(मिमी) | 19 |
ऑपरेटिंग तापमान (℃) | १०~३५ |
ऑपरेटिंग व्होल्टेज | DC12V4A |
मॉड्युलेशन | DMOD(TTL)1MHz पर्यंत |
AMOD(Analog)100kHz पर्यंत | |
DMOD+AMOD(TTL+Analog) | |
अपेक्षित आजीवन (तास) | 10000 |
हमी | 1 वर्ष |